Добро пожаловать в b2b168.com, Регистрация бесплатно | Войти
中文(简体) |
中文(繁體) |
Francés |Español |
| No.13758645

- Категории продуктов
- Ссылки
- дома > Провода питания > IRFU120NPBF ИК N-типа Полевой транзистор первоначальном месте
Информация Название: | IRFU120NPBF ИК N-типа Полевой транзистор первоначальном месте |
опубликованный: | 2015-06-23 |
действительность: | 180 |
технические условия: | |
количество: | 4000.00 |
Описание Цена: | |
Подробное описание продукта: | Время задержки 4,5 нс типичные chargeVgs ворота 25 NC V @ 10 типичного значения входной емкости типичного выключения время задержки 32 нс Типичные TurnVds 330 пФ V @ 25 Тип установки через отверстие ИПАК ширина 2,3 мм Тип Габаритные размеры 6.6 х 2.3 х 6.1mm Pin Count 3 Минимальная рабочая температура -55 ° C Максимальная рассеиваемая мощность 48 Вт максимального напряжения затвор-исток в ± 20 В максимальной сток-исток напряжения 100 В максимальной устойчивости сток-исток 0,21 Ω Максимальный непрерывный ток стока 9.4 Максимальная рабочая температура +175 ° С Количество компонентов в чип 1 Категория питания MOSFET типа канала режиме повышения Н-канал для настройки одного длину 6.6mm 6.1mm высота |
Админ>>>
Вы 13852 посетителя
авторское право © GuangDong ICP No. 10089450, Шэньчжэнь Чжан Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Техническая поддержка: Шэньчжэнь ВСЕГДА Technology Development Co, Ltd
ВСЕГДА сети 'с Отказ от ответственности: законность этого предприятия не предпринимает никаких гарантий ответственности
Вы 13852 посетителя
авторское право © GuangDong ICP No. 10089450, Шэньчжэнь Чжан Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Техническая поддержка: Шэньчжэнь ВСЕГДА Technology Development Co, Ltd
ВСЕГДА сети 'с Отказ от ответственности: законность этого предприятия не предпринимает никаких гарантий ответственности